Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation memperluas portofolio komponen daya silikon karbida dengan IX800FXF2YMS4, modul MOSFET SiC ganda yang dirancang untuk sistem industri berdaya tinggi. Aplikasi yang disebut perusahaan mencakup sistem traksi kereta api, pembangkit energi terbarukan, dan pengendalian motor industri.
Modul ini menggunakan chip MOSFET SiC generasi ketiga buatan Toshiba. Spesifikasi yang diumumkan mencakup tegangan drain-source 3.300 volt dan arus drain searah hingga 800 ampere. Nilai tersebut menempatkan perangkat pada kelas aplikasi yang membutuhkan konversi daya bertegangan tinggi, meski pemilihan komponen tetap bergantung pada rancangan dan kondisi operasi setiap sistem.
Salah satu fokus desainnya adalah menghadapi lonjakan arus yang dapat muncul dalam kondisi abnormal pada inverter dan konverter. Toshiba menyebut nilai I²t pada dioda mencapai 300 kA²s sebagai indikator ketahanan terhadap arus lonjakan. Untuk efisiensi, tegangan VDS(on)sense tipikal tercatat 1,4 volt, sedangkan rugi pensaklaran yang diumumkan adalah 185 mJ saat penyalaan dan 175 mJ saat pemadaman.
Menurut perusahaan, karakteristik tersebut dapat membantu menekan rugi konduksi dan memungkinkan penggunaan sistem pendingin yang lebih ringkas. Klaim ini berkaitan dengan spesifikasi perangkat; hasil aktual tetap akan dipengaruhi desain inverter, beban, frekuensi pensaklaran, dan sistem termal yang digunakan.
IX800FXF2YMS4 memakai paket iXPLV™ yang disebut memiliki kompatibilitas pemasangan yang baik. Sambungan chip menggunakan teknologi sintering perak untuk meningkatkan ketahanan panas, dengan suhu kanal operasi hingga 175 derajat Celsius. Toshiba mengatakan penambahan produk ini membuat lini modul MOSFET SiC dalam paket iXPLV™ bertambah menjadi empat varian, sehingga perancang sistem memiliki lebih banyak opsi untuk aplikasi konversi daya industri.